TSV裏面研磨プロセス測定装置
BGM300
TSV裏面研磨プロセスでのSi厚さ、TSV深さ、Remaining Si厚さ測定装置
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特長
- 独自の干渉計とIR光学系の組み合わせを採用し、Via部の測定を実現
- 裏面研磨プロセスの研削前後両方において使用可能
- 欠陥検出システムの高速化により、スキャン時間38分 / 100mm x 100mmエリアを実現
- TSV裏面研磨プロセスに最適なSolutionを提供
用途
- TSV裏面研磨プロセス前のSi厚さ/TSV深さの測定
- TSV裏面研磨プロセス後のRemaining Si厚さ（RST）の測定
- 貼り合せウェハの接着層厚さ異常の把握
- BSIイメージセンサウェハの裏面薄化時のシリコン厚さ測定
仕様
| 装置サイズ | 1,450mm（W）x 2,650mm（D）x 1,885mm（H） |
|---|---|
| 対応基板サイズ | φ300mm ウェハ |
| 測定対象 | TSV貼り合せウェハ,BSI 貼り合わせウェハ |
