説明
フォトマスク作成用のガラス基板材料。MoSi層のような遮光膜でのみ覆われたガラス基板およびMoSi層の上層にレジスト膜を設けたガラス基板が共にマスクブランクである
EUVマスクブランクス上の転写性位相欠陥の検出および欠陥管理
設計ルール5nm以降の最先端半導体マスク用ブランクス欠陥検査/レビュー装置
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