説明

露光波長に比べて、ウェハ上に形成すべき回路パターンが小さくなると、フォトマスク上の回路パターン（マスクパターン）をウェハ上で同じ形状に形成することが困難になるため、予め変形を見越してマスクパターンに図形を付加したり、マスクパターンの疎密に応じてパターンサイズを補正することで、ウェハ上に所望の回路パターンを忠実に形成する技術