半導体製造プロセスでは、線幅の微細化と並行して3D NAND等の高積層化が進んでおり、デバイス内部に発生する欠陥（内部欠陥）の解決が大きな課題となっています。

CIRIUSは、独自光学系によって内部欠陥の高感度な検査を可能にした装置で、レビューによる内部欠陥の深さ位置の特定と、深さ情報に基づく分類を実現しました。同装置により、従来の検査方式では対応できなかった内部欠陥を、非破壊で検査・レビューすることが可能で、お客さまの製造ラインにおけるプロセスの早期改善や生産コストの削減への貢献が期待されます。

当社では今後も、先端半導体プロセスにおけるニーズにお応えし、半導体デバイスプロセスの品質改善、歩留まり向上に向けて貢献してまいります。