レーザーテックは、明視野コンフォーカル光学系を用いてGaNウェハの各種欠陥をより高速に検出し、高い解像度で欠陥の観察が可能なGaNウェハ欠陥検査/レビュー装置「GALOIS」シリーズを製品化しました。

世界規模での省エネルギー意識が高まる中、エネルギー効率を極限まで高める新技術の必要性が高まっています。その材料として大きな発展が期待できるSiC （シリコンカーバイド）やGaN （ガリウムナイトライド）などのワイドバンドギャップ半導体は、パワーエレクトロニクスや高速通信、LEDなどへの実用化に向け、品質改善やコスト低減への研究開発が活発化しています。
工業化に向け先行しているSiCにおいては、欠陥検査/レビュー装置「SICA88」が業界標準検査機として使用され、高スループット、高精度欠陥分類、高解像度レビュー画像などの点が市場から高く評価されております。
一方、GaNデバイスの普及においては、ウェハ製造コスト、多数の結晶・加工欠陥が未だ障害となっており、ウェハの品質改善が求められています。レーザーテックはこれらの課題解決に貢献すべく、ウェハの加工欠陥・結晶欠陥を高感度かつ高速に検出・分類し、高解像の欠陥レビューが可能なGaNウェハ欠陥検査/レビュー装置「GALOIS」シリーズを製品化しました。

GALOISはレーザーテックのコア技術であるコンフォーカル＋微分干渉光学系の組み合わせと最新の画像処理技術に基づいた検査アルゴリズムにより、透明基板による裏面反射や、GaNウェハ表面のモルフォロジーに影響されること無く、ウェハ表面に存在する各種欠陥を高感度に検出することができます。
欠陥種の分類には高速の処理コンピュータと、最新のディープラーニングを含む機械学習アルゴリズムによる学習モデルを使用し、前述のコア技術による高解像度レビュー画像に基づき、様々な不定形状の欠陥を検査と同時に高精度分類します。
更に検査を行ったウェハ全面のレビュー画像を全てストレージに保存するため、未知の欠陥を解析する用途としても利用可能です。6インチウェハ6分の高速検査を実現しており、将来的な量産工程にも適用が可能となります。
GALOISはGaNウェハの出荷/受け入れ検査はもちろん、ウェハ・エピ・デバイスプロセスのプロセスモニタとして、欠陥発生原因の追求によるプロセス改善・歩留まり向上の強力なツールとなります。

レーザーテックはこれからも次世代半導体材料の欠陥検査の技術開発に一層注力し、次世代デバイス歩留まり向上に貢献してまいります。