ニュース
「半導体・オブ・ザ・イヤー2016」でSICA88が優秀賞を受賞しました
2016年06月02日
このたび、電子デバイス産業新聞が主催する「第22回 半導体・オブ・ザ・イヤー」半導体製造装置部門において、当社の「SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICA88」が優秀賞を受賞しました。
本賞は最新のエレクトロニクス製品の開発において、最も貢献した製品を表彰するもので、2015年4月～2016年3月までに新製品（バージョンアップ等を含む）として発表された製品・技術を対象としています。開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準に選定されました。
SiCパワーデバイスは電力損失を低減する次世代パワーデバイスの一つであり、省エネルギー化を推進するため、業界をあげて開発に取り組んでいます。当社はSiCパワーデバイスの品質向上と生産体制の強化に貢献するため、これからも製品開発に一層力を入れてまいります。
SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置 SICAについて
SiCパワーデバイスはすでにエアコン、太陽光発電システム、鉄道車両などに使用されており、今後電気自動車などへの搭載が期待され、市場を着実に拡げております。
しかしSiCパワーデバイスは、その製造の難しさゆえに、いまだ生産工程において結晶欠陥などの様々な問題が発生しており、品質の確保とコストの両面で大きな課題を抱えています。ウェハメーカーではウェハの品質向上と品質管理が必要とされ、デバイスメーカーにおいてはデバイスの歩留り向上と、さらなる低コスト化が求められています。SICAはこのようなニーズを受け、開発した装置です。
2009年に研究開発用のSICA61、2011年には量産用のSICA6X、2015年に最新機種SICA88を発売しました。高い検出感度と高精度な欠陥分類が評価され、業界標準機として多くのお客さまにご採用いただいています。