レーザーテックは、設計ルール28nm以降の次世代半導体フォトマスク用のマスクブランクスの欠陥検査装置M6640S、M6641S（以下、M6640S/41S）を製品化し、今月より受注を開始いたします。
　当社は、2007年にマスクブランクス欠陥検査装置M6640/41を発売し、すでに多くのマスクブランクスメーカーでの全数検査およびマスクショップでの受け入れ検査やプロセス管理で活用されております。一方、EUVリソグラフィー実用化の遅延で、フォトマスクの微細化が進み、マスクブランクスにおいても更なる高感度検査による品質の管理、向上が急務となっております。
　こうした次世代のニーズに対応すべく、この度当社は、高スループットを維持しながら、高品質マスクブランクスのクォーツサブストレートの欠陥検査のみならず、各種成膜工程の欠陥検査およびレジスト膜の欠陥検査に対しても高検出感度を実現した最新鋭機M6640S/41Sを開発しました。
　M6640S/41Sは、M6640のプラットフォームを用い、新規開発の欠陥検出回路により、微小欠陥への感度向上を実現しています。スループットも従来機と同等の性能を有し、また、EUVL向けマスクブランクスについても、マルチレイヤー層、アブゾーバー層の欠陥の高感度検査を可能とし、Dual Podカセットにも対応しています。
レーザーテックは、次世代高品質マスクブランクスの出荷品質の向上およびマスクショップでのマスクブランクス受け入れ検査やマスク製造のプロセス管理の改善に向けて貢献してまいります。